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IKZ75N65EL5XKSA1

Name: Infineon IKZ75N65EL5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKZ75N65EL5XKSA1
Price: 6.43 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKZ75N65EL5XKSA1

Herst.- Nr.:

IKZ75N65EL5XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs IGBT PRODUCTS

Datenblatt:

IKZ75N65EL5XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	536 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	TRENCHSTOP 5 L5
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKZ75N65EL5 SP001174456

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TRENCHSTOP™ 5 L5 IGBTs (Low Saturation 5)

Infineon TRENCHSTOP™ 5 L5 IGBTs (Low Saturation 5) befinden sich am anderen Ende des Schaltfrequenzbereichs und sind für eine hervorragende Performance in Designs mit Schaltungen von <10 kHz optimiert. Die L5 von Infineon sind insbesondere für niedrige Schaltfrequenzen von 50 Hz bis 20 kHz optimiert. Die L5-Baureihe bietet eine niedrige VCE(sat) von 1,05 V für 30-A-IGBTs, niedrigste Schaltverluste im Blindleistungsmodus bei cos φ <1 und eine hohe thermische Stabilität der elektrischen Parameter. Mit einem V_CE(sat) von 1,05 V der TRENCHSTOP™ 5 L5 können ganz neue Wirkungsgrade für Bauteile mit niedriger Schaltgeschwindigkeit erzielt werden.