CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs sind ideal für resonante Hochleistungstopologien und verfügen über die neuste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie. Die MOSFETs verfügen über eine integrierte schnelle Body-Diode und vervollständigen die CoolMOS 7er-Baureihe. Typische Hochleistungs-SNT-Applikationen umfassen Server, Telekommunikation und EV-Ladestationen.

Ergebnisse: 71
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
420Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
254Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
73Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
4 000erwartet ab 28.01.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2 990Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 200Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
500erwartet ab 03.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 700
Mult.: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 700
Mult.: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube