TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

Der N-Kanal-MOSFET TPH2R70AR5 von Toshiba vereint einen niedrigen Durchlasswiderstand mit geringen Schaltverlusten für eine hohe Energieumwandlungseffizienz. Der TPH2R70AR5 wurde für anspruchsvolle Applikationen entwickelt und unterstützt Hochgeschwindigkeits-Schaltungen und zuverlässige Leistung in kompakten Designs. Der N-Kanal-Silizium-MOSFET eignet sich ideal für hocheffiziente DC-DC-Wandler, Schaltregler und Motortreiber.

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Toshiba MOSFETs 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
Datenblatt
3 052Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
Datenblatt
3 441Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H
Datenblatt
5 409Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape