ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD® matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These arrays are designed for exceptional matching of electrical device characteristics. Fabricated on the same monolithic chip, the ALD31070x arrays offer excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays feature a versatile design for various precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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53Auf Lager
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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si Through Hole PDIP-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si DIP-16 Tube

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Si SOIC-16 Tube

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Si DIP-16 Tube

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Si SOIC-16 Tube

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Si DIP-16 Tube

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Si SOIC-16 Tube

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Si DIP-16 Tube
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Si SMD/SMT SOIC-8 Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si SOIC-16 Tube