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IRFB4020PBF

Name: Infineon IRFB4020PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRFB4020PBF
Price: 1.6 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRFB4020PBF

Herst.- Nr.:

IRFB4020PBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

Datenblatt:

IRFB4020PBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.8 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Spice Model - IRFB4020PBF

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Leistungs-MOSFETs

Mit der Entwicklung und Einführung der ersten MOSFETs mit Hexaganol-Topologie im Jahre 1979 leistete Infineon Pionierarbeit im Bereich HEXFET-Leistungs-MOSFET-Technologie. Für diese Entwicklungen wurde bereits vier Jahre später ein umfassendes Patent erteilt und seitdem haben die meisten MOSFET-Hersteller die Designs und Verfahren lizenziert, die in diesem Markt eingeführt werden. Produkte von IR zeichnen sich durch den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand des MOSFETs im Vergleich mit ähnlichen Komponenten ihrer Klasse aus und ermöglichen Leistungsumwandlungs-Subsystemdesigns, die einen bisher unerreichten Wirkungsgrad aufweisen. IR kombiniert die fortschrittliche Silizium-Technologie mit innovativer Verpackungstechnologie. Die POWIRTAB™-, Super-220™- und Super-247-Gehäuse von IR ermöglichen bis zu 20 A mehr Strom pro Bauteil mit demselben Footprint wie Standard-Gehäuse und erhöhen dadurch die Leistungsdichte. Die FlipFET®-Gehäusetechnologie von IR ist mit Standard-Lötverfahren zur Oberflächenmontage kompatibel, bietet ein Silizium-zu-Footprint-Verhältnis von 100 % mit der gleichen Leistungsfähigkeit wie herkömmliche Gehäuse und ist dadurch die ideale Lösung für tragbare Geräte, wie z. B. tragbare Telefone oder Notebooks. Das DirectFET®-Gehäuse von IR revolutioniert das Wärmemanagement im Footprint eines Standard-SO-8-Gehäuse, indem die Hitze des Boards über die Oberseite des Gehäuses abgeführt wird. Infolgedessen können DirectFET-MOSFETs die Stromdichte verdoppeln und gleichzeitig die Kosten für das Wärmemanagement in Hochstromschaltungen, die Mikroprozessoren der nächsten Generation betreiben, um die Hälfte reduzieren.