NSF0x0120 n-Kanal-SiC-MOSFETs

Nexperia NSF0x0120 n-Kanal-SiC-MOSFETs bieten eine überlegene RDS(on)-Temperaturstabilität in einem 7-Pin-TO-263-Standardkunststoffgehäuse für die PCB-Technologie zur Oberflächenmontage. Der NSF0x0120 basiert auf einem 1200-V-Leistungs-MOSFET mit einer schnellen Schaltgeschwindigkeit. Diese kombinierten Eigenschaften machen die Nexperia NSF0x0120 MOSFETs ideal für industrielle Hochleistungs- und Hochspannungsapplikationen, einschließlich Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Umrichter und Motorantriebe.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Datenblatt
477Auf Lager
Min.: 1
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: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Datenblatt
785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Datenblatt
599Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 67 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Datenblatt
736Auf Lager
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Min.: 1
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: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Datenblatt
730Auf Lager
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Mult.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 122 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 190 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
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660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
Datenblatt
795Auf Lager
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: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
Datenblatt
795Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
Datenblatt
750Auf Lager
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: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 60 mOhms 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
Datenblatt
800Auf Lager
Min.: 1
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: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 90 mOhms 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
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427Auf Lager
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: 30

Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Datenblatt
440Auf Lager
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: 30

Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Datenblatt
435Auf Lager
Min.: 1
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Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
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795Auf Lager
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Min.: 1
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: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
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450Auf Lager
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: 30

Nexperia SiC-MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Datenblatt
790Auf Lager
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Min.: 1
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: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
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150erwartet ab 22.10.2026
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Min.: 1
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: 800

Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
Datenblatt
150erwartet ab 05.10.2026
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: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 108 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
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150erwartet ab 19.11.2026
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: 800

Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
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150erwartet ab 05.10.2026
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: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 78 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Datenblatt
150erwartet ab 22.10.2026
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: 800

Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
Datenblatt
150erwartet ab 05.10.2026
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: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 152 W Enhancement
Nexperia SiC-MOSFETs NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Datenblatt
150erwartet ab 22.10.2026
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Min.: 1
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Nexperia SiC-MOSFETs NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
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150erwartet ab 17.12.2026
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Min.: 1
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: 800

Nexperia SiC-MOSFETs NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Datenblatt
150erwartet ab 17.12.2026
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: 800