EP9 IGBT-Gate-Drive-Transformatoren

Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 von EPCOS/TDK sind kompakte Bauteile, die auf einem MnZn-Ferritkern in SMD-L-Pin-Bauweise aufgebaut sind.Diese Transformatoren bieten eine ausgezeichnete Isolierung, minimale Kopplungskapazität und eine hohe thermische Widerstandsfähigkeit. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 unterstützen Halbbrücken- oder Push-Pull-Topologien. Diese Transformatoren zeichnen sich durch eine geringe Kopplungskapazität von 2 pF und eine Luftstrecke von ≥ 5 mm (kumulativ und Kern schwebend) aus. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 arbeiten in einem Frequenzbereich von 100 kHz bis 400 kHz und einem Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C.  Diese Transformatoren sind RoHS-konform und AEC-Q200-qualifiziert. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 sind speziell für IGBT- und FET-Gate-Treiber-Schaltungen ausgelegt. Zu den typischen Applikationen gehören isolierte DC/DC-Wandler, isolierte AC/DC-Wandler und Gate-Treiber-Schaltungen.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Primärgewinde
Sekundärgewinde
Länge
Breite
Höhe
Serie
EPCOS / TDK Netztransformatoren Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer
Datenblatt
248Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Power Transformers SMD/SMT Single Primary Winding Dual Secondary Winding 11.45 mm 10.7 mm 10.55 mm EP9
EPCOS / TDK Netztransformatoren Push Pull, Turns Ratio 1 : 2.9 : 1, EP9 IGBT Gate Drive Transformer
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Power Transformers SMD/SMT Single Primary Winding Dual Secondary Winding 11.45 mm 10.7 mm 10.55 mm EP9