EP9 IGBT GATE-Treiber-Transformatoren

TDK EP9 IGBT GATE- TreiberTransformatoren sind kompakte Bauteile die auf einem MnZn Ferritkern mit SMD- L-Pin Bauweise aufgebaut sind. Diese Transformatoren bieten eine ausgezeichnete Isolierung, minimale Kopplungskapazität und eine hohe thermische Belastbarkeit. Die EP9-Baureihe unterstützt Halbbrücken- oder Push-Pull-Topologien und zeichnet sich durch eine Kopplungskapazität von 2 pF und eine Speicherkapazität ≥ 5 mm Luftstrecke (kumulativ und Core schwimmend) aus. Die TDK EP9 IGBT GATE- TreiberTransformatoren arbeiten in einem Frequenzbereich von 100 kHz bis 400 kHz und einem Temperaturbereich von -40°C bis +150°C. Diese RoHS-konformen und AEC-Q200-qualifizierten Transformatoren sind speziell für IGBT- und FET-Gate-Treiber-Schaltungen konzipiert. Typische Applikationen umfassen isolierte DC/DC-Wandler, isolierte AC/DC-Wandler und Gate-Treiber-Schaltungen.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Primärgewinde
Sekundärgewinde
Länge
Breite
Höhe
Serie
TDK Leistungstransformatoren - Boardmontage Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer
Datenblatt
245Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Power Transformers SMD/SMT Single Primary Winding Dual Secondary Winding 11.45 mm 10.7 mm 10.55 mm EP9
TDK Leistungstransformatoren - Boardmontage Push Pull, Turns Ratio 1 : 2.9 : 1, EP9 IGBT Gate Drive Transformer
Datenblatt
200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Power Transformers SMD/SMT Single Primary Winding Dual Secondary Winding 11.45 mm 10.7 mm 10.55 mm EP9