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SIR873DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR873DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR873DP-T1-GE3
Price: 1.77 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR873DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIR873DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SIR873DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,77	€ 1,77
	€ 1,18	€ 11,80
	€ 0,832	€ 83,20
	€ 0,696	€ 348,00
	€ 0,658	€ 658,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,589	€ 1 767,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	37 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SIR873DP-T1-GE3 Datenblatt

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIR873DP 150V-p-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SIR873DP 150V-p-Kanal-MOSFET ist ein TrenchFET^®-Leistungs-MOSFET. Der SIR873DP MOSFET bietet einen niedrigen On-Widerstand, der die Durchlassverluste verringert.Dieser MOSFET SIR873DP ist für einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in einem PowerPAK^®-Gehäuse erhältlich. Die Applikationen umfassen Lastschalter, aktive Klemmung im DC/DC-Netzteil, Batterieschutz und Motorantriebssteuerung.
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