EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module zeichnen sich durch die PressFIT-Kontakttechnologie und einen integrierten NTC-Temperatursensor (Negativer Temperaturkoeffizient, NTC) aus. Diese Module werden mit einer Drain-Source-Spannung von1.200 V betrieben, zeichnen sich durch ein induktiv niedriges Design aus, weisen geringe Schaltverluste auf und besitzen eine hohe Stromdichte. Die EasyPACK™-Module sind dank integrierter Montageklemmen robust montiert und in einem CTI >600 untergebracht. Typische Applikationen umfassen hochfrequente Schaltgeräte, DC/DC-Wandler und DC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
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28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
6Auf Lager
15erwartet ab 20.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
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30Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray