TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil

Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil verfügen über eine Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedrigen Kapazitäten und eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren Schaltverluste und Kühlanforderungen und minimieren das Gate-Schwingen. Die 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs enthalten eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Sperrverzögerung (Qrr). Diese Leistungs-MOSFETs erhöhen die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz. Die 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs sind in optimierten Gehäusen mit separaten Treiberquellen-Pins verfügbar und in einem TO-247-4-Gehäuse mit niedrigem Profil verfügbar. Diese Leistungs-MOSFETs sind halogenfrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, EV-Akkuladegeräte, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Solar/ESS, USV und Unternehmens-PSU.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
167Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
153Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
254Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
386Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
880Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement