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SIZ340BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ340BDT-T1-GE3
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIZ340BDT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIZ340BDT-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Datenblatt:

SIZ340BDT-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,963	€ 0,96
	€ 0,605	€ 6,05
	€ 0,396	€ 39,60
	€ 0,307	€ 153,50
	€ 0,284	€ 284,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,241	€ 723,00
	€ 0,234	€ 1.404,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAIR-3x3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A, 69.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.31 mOhms, 8.56 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC, 15.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	16.7 W, 31 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	5 ns, 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S, 60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns, 7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns, 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns, 12 ns
Gewicht pro Stück:	143,050 mg

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET verfügt über ein Dual-Konfigurationsdesign mit einer TrenchFET®-Gen-IV-Leistung. Das Modul bietet eine Drain-Quellenspannung von 30 V_DS, einen gepulsten Drainstrom von 150 A in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Der SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET ist halogenfrei und RoHS-konform. Typische Applikationen sind CPU-Core-Leistung, synchrone Abwärtswandler, Telekommunikations-DC/DC-Wandler und Computer.