Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Ergebnisse: 20
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
APC-E SiC-MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Datenblatt
600erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300erwartet ab 03.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300erwartet ab 03.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300erwartet ab 27.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300erwartet ab 27.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E SiC-MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300erwartet ab 01.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC-MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300erwartet ab 03.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC-MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300erwartet ab 01.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC-MOSFETs 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Datenblatt
300erwartet ab 27.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C