Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs
Die abgeschirmten Gate-PowerTrench® -MOSFETs von Onsemi sind n-Kanal und bieten optimierte Schaltleistung. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für ein besonders geräuscharmes Schalten. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Schaltspitzen und geringerer elektromoagnetischer Störung (EMI). Sie verbessern die Umschaltungs-Gütezahl (FOM). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-PSU, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Mikro-Solarwechselrichter.
