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BUK6Q66-60PJ

Name: Nexperia BUK6Q66-60PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q66-60PJ
Price: 1.54 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK6Q66-60PJ

Herst.- Nr.:

BUK6Q66-60PJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BUK6Q66-60PJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,54	€ 1,54
	€ 0,946	€ 9,46
	€ 0,623	€ 62,30
	€ 0,489	€ 244,50
	€ 0,419	€ 419,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,379	€ 1.137,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLPAK33-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	66 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	56 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	172 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12.7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns
Artikel # Aliases:	934670275118

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Datenblatt

BUK6Q66-60PJ Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BUK6Q66-60PJ MOSFET

Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET ist ein 60 V MOSFET P-Kanal-Erweiterungs-Modus-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-.3) SMD Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET Technologie. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötzinnprüfung. Im Normalbetrieb arbeitet der MOSFET BUK6Q66-60PJ im negativen Modus mit Drain-Source-Spannung (_VDS). Dieser MOSFET wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint) angeboten. Der MOSFET BUK6Q66-60PJ ist nach AEC-Q101 zertifiziert und für Fahrzeuganwendungen geeignet. Dieser MOSFET ist ideal für Verpolungsschutz, Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.