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NTMFS5H419NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H419NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H419NLT1G
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS5H419NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS5H419NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 150A, 2.1mohm

Datenblatt:

NTMFS5H419NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,81	€ 1,81
	€ 1,09	€ 10,90
	€ 0,808	€ 80,80
	€ 0,657	€ 328,50
	€ 0,634	€ 634,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,585	€ 877,50
	€ 0,549	€ 1 647,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	155 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	56 ns
Serie:	NTMFS5H419NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	62 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	175 mg

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Datenblatt

NTMFS5H419NLT1G Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFS5H419NL 40V 150A n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMFS5H419NL 150A n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Ein-Kanal-MOSFET mit 40 V und niedrigem ON-Widerstand, niedriger Gateladung und niedriger Kapazität. Diese Merkmale minimieren Leitungsverluste und bieten eine überlegene Schaltleistung. Der NTMFS5H419NL Power-MOSFET wird in einem kompakten 5 mm x 6 mm großen DFN-5-Gehäuse angeboten, das sich ideal für Applikationen mit wenig Platz eignet.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.