100 V bis 150 V StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs

Infineon TechnologiesInfineon Technologies StrongIRFET ™ 100-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs sind für einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert. Diese Bauteile bieten einen RDS(on) von nur 1,3 mΩ bei 100 V und eine Strombelastbarkeit von bis zu 209 A bei 100 V. Diese Merkmale führen zu geringeren Leitungsverlusten und einer höheren Leistungsdichte, während gleichzeitig ältere Designs berücksichtigt werden. Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFETs sind ideal für Niederfrequenzapplikationen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt ein breites Spektrum an Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V) 1 327Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 2 556Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 4 251Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 2 864Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 895Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC 3 059Auf Lager
400erwartet ab 26.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 412Auf Lager
3 200Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
6 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
754erwartet ab 24.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
380erwartet ab 23.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube