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GC05MPS33J-TR

Name: Navitas Semiconductor GC05MPS33J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GC05MPS33J-TR
Price: 16.47 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

905-GC05MPS33J-TR

Herst.- Nr.:

GC05MPS33J-TR

Herst.:

GeneSiC Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

GC05MPS33J-TR Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Navitas Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Serie:	SiC Schottky MPS
Verpackung:	Reel
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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Datenblatt

GC05MPS33J-TR Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (I_F) of 8A and a total capacitative charge (Q_c) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.