Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
Datenblatt
154Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 170 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
Datenblatt
259Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
Datenblatt
1 555Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247AD Through Hole 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 31 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 190 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube