BSS670 Kleinsignal-MOSFET

Der ROHM Semiconductor BSS670 Kleinsignal-MOSFET ist ein Kleinsignal-n-Kanal-MOSFET mit 60 V und 650 mA, der für Hochgeschwindigkeitsschaltungen ausgelegt ist. Der BSS670 verfügt über einen extrem niedrigen 2,5- V-Antrieb und ESD-Schutz von bis zu 2 kV (HBM). Der BSS670 MOSFET von ROHM eignet sich hervorragend für Schaltkreise, Low-Side-Lastschalter und Relaistreiber.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A
Datenblatt
2 509Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET
Datenblatt
4 541Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel