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BAS21LS-QYL

Name: Nexperia BAS21LS-QYL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BAS21LS-QYL
Price: 0.28 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BAS21LS-QYL

Herst.- Nr.:

BAS21LS-QYL

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Kleinsignal-Schaltdioden BAS21LS-Q/SOD882BD/DFN1006-2

Datenblatt:

BAS21LS-QYL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,284	€ 0,28
	€ 0,163	€ 1,63
	€ 0,10	€ 10,00
	€ 0,072	€ 36,00
	€ 0,063	€ 63,00
	€ 0,055	€ 137,50
	€ 0,046	€ 230,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,041	€ 410,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Kleinsignal-Schaltdioden
RoHS:
Produkt:	Switching Diodes
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1006BD-2
Spitzensperrspannung:	250 V
Max. Spitzenstrom:	9.5 A
If - Durchlassstrom:	200 mA
Konfiguration:	Single
Rückstellungszeit:	50 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.25 V
Ir - Sperrstrom:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Maximale Diodenkapazität:	2 pF
Pd - Verlustleistung:	610 mW
Produkt-Typ:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases:	934662684315

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Datenblatt

BAS21LS-QYL Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden

Nexperia BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden sind in unverdrahteten DFN1110D-3- und DFN1412D-3-SMD-Kunststoffgehäusen mit seitenbenetzbaren Flanken eingekapselt. Diese Dioden arbeiten mit einer Schaltgeschwindigkeit von t_rr≤ 50 ns, einer hohen Sperrspannung von V_R≤ 200 V, einer niedrigen Gehäusehöhe von 0,5 mm und einer niedrigen Kapazität von C_d≤5 pF. Die BAS21Q Dioden verfügen über einen niedrigen Ableitstrom und werden in Applikationen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-Schaltung, Universal-Schaltung, Spannungsklemme und Umpolungsschutz verwendet.