D3 EliteSiC-Dioden

onsemi D3 EliteSic-Dioden sind eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern. Die D3 von onsemi verfügt über eine maximale Nennspannung von 1.200 V. Diese Dioden sind in zwei Gehäuseoptionen, TO-247-2LD und TO-247-3LD verfügbar und bieten Flexibilität für verschiedene Designs. Die D3 EliteSiC-Dioden sind für einen Hochtemperaturbetrieb mit niedriger Temperaturabhängigkeit des Serienwiderstands optimiert und gewährleisten eine konsistente und zuverlässige Leistung selbst unter extremen Bedingungen.

Ergebnisse: 11
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

onsemi SiC Schottky Dioden Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Datenblatt
476Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C Tube

onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Datenblatt
593Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 26 A 1.2 kV 1.75 V 119 A 2.06 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C-F155 Tube
onsemi SiC Schottky Dioden Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L
Datenblatt
1 198Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3LD Dual Anode Common Cathode 52 A 1.2 kV 1.36 V 123 A 2.39 uA - 55 C + 175 C NDSH40120CDN Tube

onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Datenblatt
1 266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 12 A 1.2 kV 1.75 V 546 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH10120C-F155 Tube
onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L
Datenblatt
400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 1.2 kV 1.75 V 59 A 1 uA - 55 C + 175 C NDSH20120CDN Tube
onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L
Datenblatt
382Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 38 A 1.2 kV 1.75 V 91 A 1.5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120CDN Tube

onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Datenblatt
865Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 46 A 1.2 kV 1.75 V 195 A 9 uA - 55 C + 175 C NDSH40120C-F155 Tube
onsemi SiC Schottky Dioden Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L
Datenblatt
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH20120C Tube

onsemi SiC Schottky Dioden Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Datenblatt
574Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C Tube

onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Datenblatt
900erwartet ab 17.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.75 V 161 A 5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120C-F155 Tube
onsemi SiC Schottky Dioden Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50A, 1200V, D3, TO-247-2L
Datenblatt
900Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH50120C Tube