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Menge RoHS
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 500
Rolle: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 500
Rolle: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 500
Rolle: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

EPC Laser-Treiber IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

EPC Laser-Treiber IC LASER DRVR 80V 15A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 500
Rolle: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500