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Menge RoHS
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
2 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
4 990Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302
Datenblatt
6Auf Lager
4erwartet ab 31.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Datenblatt
20 000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datenblatt
30 000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
Datenblatt
15 000erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datenblatt
15 000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Datenblatt
15 000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/3A
Datenblatt
10erwartet ab 31.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Datenblatt
7 500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
Datenblatt
3 000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Datenblatt
4 998erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Datenblatt
2 500erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Datenblatt
2 500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Datenblatt
7 500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Datenblatt
12 500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 80V/10A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 350V/4A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 80V/40A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/25A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 200V/8A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 40V/25A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/45A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 80V/25A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1

EPC IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Development Board, 100V/5A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 40
Mult.: 1