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Menge RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)
Datenblatt
160Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
Datenblatt
198Auf Lager
108 000erwartet ab 21.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
426Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
3 880Auf Lager
14 400erwartet ab 27.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Datenblatt
3 665Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
24Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
4 800erwartet ab 06.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
6 479Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, USON8
Datenblatt
9 632erwartet ab 21.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
4 787erwartet ab 21.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
2 880Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800