ZXMHC3F381N8TC

Diodes Incorporated
522-ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3F381N8TC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

ECAD Model:
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.13 A, 4.98 A
33 mOhms, 55 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
9 nC, 12.7 nC
- 55 C
+ 150 C
870 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Quad
Abfallzeit: 6.3 ns, 21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 11.8 S, 14 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3.3 ns, 3 ns
Serie: ZXMHC3
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel, 2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 11.5 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2.5 ns, 1.9 ns
Gewicht pro Stück: 750 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (Vgs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.

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