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VS-FC270SA20

Name: Vishay VS-FC270SA20
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-FC270SA20
Price: 26.65 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-FC270SA20

Herst.- Nr.:

VS-FC270SA20

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET-Module 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod

Datenblatt:

VS-FC270SA20 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	287 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	937 W
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	118 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	212 ns
Verpackung ab Werk:	160
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	ThunderFET
Typ:	MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	134 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	76 ns
Vf - Durchlassspannung:	930 mV
Vr - Sperrspannung:	200 V
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

VS-FC270SA20 Datenblatt

Application Notes

Mounting Instructions for SOT-227 Modules

PCN

Technical Resources

SOT-227 Generation 2

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Hochspannungs-MOSFET-Module

Hochspannungs-MOSFET-Module von Vishay sind Leistungsmodule in einem für alle kommerziellen/industriellen Applikationen generell bevorzugten SOT-227-Gehäuse. Diese MOSFET-Module umfassen Einzelschalter-Leistungs-MOSFETs, die über ThunderFET^® und TrenchFET^®-Technologien verfügen und niedrigere Schalt- und Leitungsverluste bieten. Die Hochspannungs-MOSFET-Module umfassen außerdem Leistungs-MOSFETs, die ein vollständig isoliertes Gehäuse, einen niedrigen On-Widerstand und eine niedrige Drain-zu-Gehäuse-Kapazität bieten. Diese Leistungs-MOSFETs bieten die beste Kombination von hohen Schaltgeschwindigkeiten, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz in einem robusten Gehäusedesign.