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VS-4C30ET07S2L-M3

Name: Vishay VS-4C30ET07S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C30ET07S2L-M3
Price: 5.11 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-4C30ET07S2L-M3

Herst.- Nr.:

VS-4C30ET07S2L-M3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

VS-4C30ET07S2L-M3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263AB-2
Konfiguration:	SIngle
If - Durchlassstrom:	30 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.33 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	180 A
Ir - Sperrstrom:	125 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	VS-4C30ET07S2L-M3
Marke:	Vishay Semiconductors
Pd - Verlustleistung:	167 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V

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