Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

UT6KE5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6KE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6KE5TCR
Price: 0.82 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-UT6KE5TCR

Herst.- Nr.:

UT6KE5TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Datenblatt:

UT6KE5TCR Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor UT6KE5TCR

Auf Lager: 14 706

Lagerbestand:: 14 706 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 0,826	€ 0,83
	€ 0,51	€ 5,10
	€ 0,348	€ 34,80
	€ 0,261	€ 130,50
	€ 0,226	€ 226,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,206	€ 618,00
	€ 0,183	€ 1 098,00
	€ 0,164	€ 1 476,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-8D
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	207 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

UT6KE5TCR Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UT6J Pch Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs UT6J Pch von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und sind in einem leistungsstarken Small-Mold-Gehäuse untergebracht. Der ROHM bietet ein breites Spannungsangebot von Kleinsignalprodukten bis zu 800-V-Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.