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TJ30S06M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3L,LXHQ
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TJ30S06M3L,LXHQ

Herst.- Nr.:

TJ30S06M3L,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TJ30S06M3L,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,912	€ 9,12
	€ 0,636	€ 63,60
	€ 0,502	€ 251,00
	€ 0,459	€ 459,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 0,409	€ 818,00
	€ 0,387	€ 1 548,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	118 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	43 ns
Serie:	UMOS VI
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	430 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	64 ns
Artikel # Aliases:	TJ30S06M3L,LXHQ(O
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

TJ30S06M3L,LXHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSVI-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von -40 V, die sich hervorragend für Fahrzeug anwendungen eignen. Sie verfügen über eine Gate-Drive-Spannung von -4,5 V im Vergleich zu -6 V für herkömmliche Produkte im DPAK+-Gehäuse. Dies ermöglicht die Verwendung von Systemen, auch wenn die Batteriespannung sinkt. Die MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand.

Automotive-Bauteile

Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.

AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.