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STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80N600K6

Herst.- Nr.:

STP80N600K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STP80N600K6 Datenblatt (PDF)

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	€ 1,27	€ 127,00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	600 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	10.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	86 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Abfallzeit:	12.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.1 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N600K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STP80N600K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für sehr hohe Spannungen, der die ultimative MDmesh K6 Technologie nutzt. Diese K6-Technologie basiert auf 20 Jahren Erfahrung von STMicroelectronics in der Super-Junction-Technologie. Dank dieser Technologie bietet der STMicro STP80N600K6 den klassenbesten On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.