STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 3 169

Lagerbestand:
3 169 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
15 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 2,47 € 2,47
€ 1,22 € 12,20
€ 1,10 € 110,00
€ 0,894 € 447,00
€ 0,819 € 819,00
€ 0,778 € 1 556,00
€ 0,77 € 3 850,00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 60 A
Kriechstrom Gate-Emitter: +/- 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 2 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, die eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwenden. Diese neuen HB-Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine äußerst geringe Parameterverteilung ermöglichen einen sichereren Parallelbetrieb.
Mehr erfahren