Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

STGF30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGF30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF30M65DF2
Price: 3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGF30M65DF2

Herst.- Nr.:

STGF30M65DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STGF30M65DF2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STGF30M65DF2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	38 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGF30M65DF2
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	60 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 uA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STGF30M65DF2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.
Weitere Informationen

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM

Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.

Mehr erfahren

STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

Mehr erfahren

STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

Mehr erfahren

STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

Mehr erfahren

STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

Mehr erfahren

Auf Lager: 1 173

Lagerbestand:: 1 173 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 3,00	€ 3,00
	€ 1,94	€ 19,40
	€ 1,34	€ 134,00
	€ 1,12	€ 560,00
	€ 1,04	€ 1.040,00
	€ 0,98	€ 1.960,00

STGF30M65DF2

Herst.: STMicroelectronics

Beschreibung: IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss Vervollständigen Sie Ihr Design

Technische Daten

Dokumente (5)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE STMICROELECTRONICS

Auf Lager: 1 173

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Vervollständigen Sie Ihr Design

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS