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ST8L65N044M9

Name: STMicroelectronics ST8L65N044M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L65N044M9
Price: 6.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-ST8L65N044M9

Herst.- Nr.:

ST8L65N044M9

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Datenblatt:

ST8L65N044M9 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 6,56	€ 6,56
	€ 4,64	€ 46,40
	€ 3,86	€ 386,00
	€ 3,44	€ 1 720,00
	€ 3,06	€ 3 060,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 3,06	€ 9 180,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	58 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	44 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	110 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	166 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	MDmesh DM9
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	180 mg

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

Der Leistungs-MOSFET STP60N043DM9 MDmesh DM9 von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode aus. Das Gerät nutzt die innovative Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die einen Multi-Drain-Fertigungsprozess bietet, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.