SSM6N67NU,LF

Toshiba
757-SSM6N67NULF
SSM6N67NU,LF

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 0,525 € 0,53
€ 0,326 € 3,26
€ 0,209 € 20,90
€ 0,158 € 79,00
€ 0,14 € 140,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,114 € 342,00
€ 0,106 € 636,00
€ 0,091 € 819,00
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
2 Channel
30 V
4 A
39.1 mOhms
- 8 V, 12 V
400 mV
3.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Dual
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 6 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: SSM6N67NU
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 26 ns
Gewicht pro Stück: 8,500 mg
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may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further assistance.
5-0320-2

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.