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SSM6K341NU,LF

Name: Toshiba SSM6K341NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K341NULF
Price: 0.59 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM6K341NULF

Herst.- Nr.:

SSM6K341NU,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

Datenblatt:

SSM6K341NU,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,593	€ 0,59
	€ 0,369	€ 3,69
	€ 0,243	€ 24,30
	€ 0,186	€ 93,00
	€ 0,163	€ 163,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,138	€ 414,00
	€ 0,126	€ 756,00
	€ 0,112	€ 1 008,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	UDFN-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVIII-H
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	48 ns
Serie:	SSM6K
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	63 ns
Gewicht pro Stück:	8,500 mg

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Datenblatt

SSM6K341NU,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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Serverlösung

Die Toshiba Serverlösung ist die Zukunft von Big Data und der IoT-Revolution, mit einer Lösung, die den Wirkungsgrad und die Leistungsfähigkeit maximiert. Das Serverdesign ist eine komplexe Aufgabe mit vielen anspruchsvollen Anforderungen, wie z. B. ein hoher Wirkungsgrad, robuste thermische Fähigkeiten und ein starker Schutz mit Isolierung.

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Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.