SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba
757-SSM3K35AMFVL3F
SSM3K35AMFV,L3F

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 0,163 € 0,16
€ 0,093 € 0,93
€ 0,039 € 3,90
€ 0,03 € 30,00
€ 0,028 € 140,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
€ 0,022 € 176,00
€ 0,021 € 504,00
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VESM-3
N-Channel
1 Channel
20 V
250 mA
1.1 Ohms
- 10 V, 10 V
1 V
340 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSIII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 0.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2 ns
Serie: SSM3K35AM
Verpackung ab Werk: 8000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 6.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2 ns
Gewicht pro Stück: 24 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD)

Toshiba  Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD) verfügen über ein großes Produktangebot, das die neuesten Anforderungen mit TVS, Schottky-Barriere-Dioden (SBD), LDOs, Lastschalter-ICs und dem neuen leistungsstarken eFuse-IC erfüllt. Diese SSDs  können Daten schneller analysieren als herkömmliche Festplattenlaufwerke (HDD). Während die SSD-Technologie sich verbessert, wird eine Leistungsschaltung erforderlich sein, welche die zunehmend strengen Leistungsanforderungen zusammen mit einem Schutz, der wichtige Daten vor Ausfällen schützt, erfüllt.  Toshiba bietet eine große Auswahl von Lastschaltern und MOSFETs für die Steuerung von Leistungseingängen, Schutz-ICs und Dioden, die für den Umgang mit abnormalen Eingangsleistungsbedingungen und Überspannungen während des Hotplugs ausgelegt sind.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

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