SSM3K333R,LF

Toshiba
757-SSM3K333RLF
SSM3K333R,LF

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
AEC-Q100
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: SSM3K333
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 11 mg
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volume automotive production or reliability testing without prior
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5-0320-2

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SSM3K333R 30V N-Channel MOSFET

Toshiba SSM3K333R 30V N-Channel MOSFET is designed for small mobile devices. This MOSFET employs the Gen 7 N-channel process and is mounted on the SOT-23F package, which offers good radiation performance and low on-resistance (RDS(on)). Typical applications for Toshiba SSM3K333R 30V N-Channel MOSFET include power management switch and high-speed switching.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.