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SQJ500AEP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ500AEP-T1_GE3
Price: 1.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ500AEP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ500AEP-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

Datenblatt:

SQJ500AEP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,85	€ 1,85
	€ 1,19	€ 11,90
	€ 0,803	€ 80,30
	€ 0,64	€ 320,00
	€ 0,60	€ 600,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,52	€ 1 560,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

SQJ500AEP-T1_BE3

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,85

Min:

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Herst.:

Vishay / Siliconix

Herst.- Nr.:

SQJ500AEP-T1_BE3

Beschreibung:

MOSFETs N and P CH 40V (D-S)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8-4
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.7 mOhms, 22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	38.3 nC, 45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	48 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	10 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	SQJ500AEP-T1_BE3
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

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Datenblatt

SQJ500AEP-T1_GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.