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SP8M6HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M6HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M6HZGTB
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SP8M6HZGTB

Herst.- Nr.:

SP8M6HZGTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

SP8M6HZGTB Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,63	€ 1,63
	€ 0,98	€ 9,80
	€ 0,723	€ 72,30
	€ 0,597	€ 298,50
	€ 0,542	€ 542,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,493	€ 1 232,50
	€ 0,469	€ 2 345,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A, 3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	51 mOhms, 90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	5 ns, 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.8 S, 3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns, 15 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns, 35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns, 10 ns
Artikel # Aliases:	SP8M6HZG

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

SP8M6HZGTB Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Leistungs-MOSFETs

Die SP8M Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind Bauteile mit niedrigem Durchlasswiderstand, die in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8) untergebracht sind. Der SP8M verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind außerdem halogenfrei, haben eine Sn100%-Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert.