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SP8M41HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M41HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M41HZGTB
Price: 2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SP8M41HZGTB

Herst.- Nr.:

SP8M41HZGTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

SP8M41HZGTB Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,30	€ 13,00
	€ 0,886	€ 88,60
	€ 0,706	€ 353,00
	€ 0,678	€ 678,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,587	€ 1 467,50
	€ 0,585	€ 2 925,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.4 A, 2.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms, 240 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	12 ns, 20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2 S, 3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns, 15 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns, 60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns, 14 ns
Artikel # Aliases:	SP8M41HZG

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

SP8M41HZGTB Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Leistungs-MOSFETs

Die SP8M Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind Bauteile mit niedrigem Durchlasswiderstand, die in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8) untergebracht sind. Der SP8M verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind außerdem halogenfrei, haben eine Sn100%-Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert.