SI8817DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8817DB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 0,628 € 0,63
€ 0,379 € 3,79
€ 0,249 € 24,90
€ 0,19 € 95,00
€ 0,168 € 168,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,134 € 402,00
€ 0,131 € 786,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
20 V
2.9 A
61 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Abfallzeit: 22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 20 ns
Serie: SI8
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20 ns
Gewicht pro Stück: 45,104 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

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