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SI7315DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7315DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI7315DN-T1-GE3
Price: 1.55 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI7315DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI7315DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8

Datenblatt:

SI7315DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,55	€ 1,55
	€ 1,03	€ 10,30
	€ 0,688	€ 68,80
	€ 0,564	€ 282,00
	€ 0,494	€ 494,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,454	€ 1.362,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	315 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	19.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 50 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	52 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IL
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

SI7315DN-T1-GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs

SI73 TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK^® -Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand und niedrigem Profil von 1,07 mm erhältlich. Die TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs sind 100 % R_g/UIS-getestet und halogenfrei. Diese SI73 Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern.