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SCT4065DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4065DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4065DLLTRDC
Price: 10.54 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4065DLLTRDC

Herst.- Nr.:

SCT4065DLLTRDC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TOLL 750V 26A SIC

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

SCT4065DLLTRDC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-9
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 V
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.7 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	5.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

SCT4065DLLTRDC Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.

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SCT4065DLLTRDC

Herst.: ROHM Semiconductor

Beschreibung: SiC-MOSFETs TOLL 750V 26A SIC

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