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SCT4026DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DW7TL
Price: 14.59 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4026DW7TL

Herst.- Nr.:

SCT4026DW7TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT4026DW7TL Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 14,59	€ 14,59
	€ 11,68	€ 116,80
	€ 9,57	€ 957,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 8,97	€ 8 970,00
2 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	51 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	94 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	22 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.5 ns
Artikel # Aliases:	SCT4026DW7

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SCT4026DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4026DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET ist ein 750-V-MOSFET mit 26 mΩ in einem TO-263-7L-Gehäuse. Der SCT4026DW7 ist einfach anzusteuern und kann mit schneller Sperrverzögerung einfach parallelgeschaltet werden. Der SCT4026DW7 eignet sich hervorragend für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung und Motorantriebe.

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.