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RV2C014BCT2CL

Name: ROHM Semiconductor RV2C014BCT2CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV2C014BCT2CL
Price: 0.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RV2C014BCT2CL

Herst.- Nr.:

RV2C014BCT2CL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID

Datenblatt:

RV2C014BCT2CL Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1006-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	300 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	RVxC
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.1 ns
Artikel # Aliases:	RV2C014BC
Gewicht pro Stück:	25,865 mg

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

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MouseReel™ (+€ 5,00)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,516	€ 0,52
	€ 0,231	€ 2,31
	€ 0,203	€ 20,30
	€ 0,153	€ 76,50
	€ 0,15	€ 150,00
	€ 0,142	€ 355,00
	€ 0,095	€ 475,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
	€ 0,083	€ 664,00
	€ 0,08	€ 1.920,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

RV2C014BCT2CL

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