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RSDT30NSFHTL

Name: ROHM Semiconductor RSDT30NSFHTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RSDT30NSFHTL
Price: 1.37 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RSDT30NSFHTL

Herst.- Nr.:

RSDT30NSFHTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden 3600W High Power TVS for Automotive (AEC-Q101 Qualified)

Datenblatt:

RSDT30NSFHTL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Polung:	Unidirectional
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Arbeitsspannung:	24 V
Montage:	SMD/SMT
Überschlagsspannung:	30 V
Verpackung/Gehäuse:	TO-263S-3
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung):	3.6 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt:	TVS Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Artikel # Aliases:	RSDT30NSFH

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

RSDT30NSFHTL Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

RSDTxxNSFH Automotive-TVS

Die ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH Überspannungsschutzvorrichtungen (TVS) schützen empfindliche elektronische Geräte gegen Überspannungen unter 3600 W (t_p= 10/1000 µs). Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind unidirektional und hochzuverlässig für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen. Die RSDTxxNSFH Entstörer sind Power-Mold-Ausführungen und verfügen über eine Hochstrom-Überlastbeständigkeit. Diese Spannungsschutzvorrichtungen sind in einer Silizium-Epitaxial-Planar-Struktur verfügbar und bieten eine Verlustleistung (P_D) von 5 W. Die RSDTxxNSFH Schutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für den Überspannungsschutz.