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RQ7G080ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7G080ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7G080ATTCR
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ7G080ATTCR

Herst.- Nr.:

RQ7G080ATTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -8.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Datenblatt:

RQ7G080ATTCR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSMT-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	37 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	105 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	42 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P - Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	145 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	RQ7G080AT
Gewicht pro Stück:	10 mg

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Application Notes

Application Note (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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RQ7G080ATTCR

Herst.: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -8.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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