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RH7G04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04BBJFRATCB
Price: 2.01 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7G04BBJFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7G04BBJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN3333 P-CH 40V 40A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7G04BBJFRATCB Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 2,01	€ 2,01
	€ 1,29	€ 12,90
	€ 0,894	€ 89,40
	€ 0,753	€ 376,50
	€ 0,67	€ 670,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,571	€ 1 713,00
	€ 0,564	€ 3 384,00
	€ 0,558	€ 5 022,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	97 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	175 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

Die 40 A und 80 A Automotive-Leistungs-MOSFETs von ROHM sind n-Kanal- und p-Kanal-Bauteile. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen gepulsten Drainstrom von ±80A/±160 A und eine Verlustleistung von bis zu 142 W. Die 40 A und 80 A Leistungs-MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben und sind 100 % avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.