Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

RGS80TSX2DGC11

Name: ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS80TSX2DGC11
Price: 11.28 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RGS80TSX2DGC11

Herst.- Nr.:

RGS80TSX2DGC11

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Datenblatt:

RGS80TSX2DGC11 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11

Auf Lager: 849

Lagerbestand:: 849 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 22 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 11,28	€ 11,28
	€ 6,52	€ 65,20
	€ 5,86	€ 586,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247N-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	555 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter:	500 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	RGS80TSX2D

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

RGS80TSX2DGC11 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RGSx0TSX2x Field-Stop-Trench-IGBTs

Die Field Stop Trench IGBTs RGSx0TSX2x von ROHM Semiconductor sind 10 µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Insulated Gate Bipolar Transistoren, die für allgemeine Wechselrichter-, USV-, PV-Wechselrichter- und Power Conditioner-Applikationen geeignet sind. Die RGSx0TSX2x IGBTs bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer reduzierten Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.