RD3N03BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3N03BATTL1
RD3N03BATTL1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs TO252 P-CH 80V 30A

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
80 V
30 A
64 mOhms
20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 69 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 13.4 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 225 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor  Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.